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TEM Grids, Graphenoxid auf Siliciumnitrid mit 2.5µm Löchern, verschiedene Lagen, Si

Graphenoxidfilm mit unterschiedlicher Anzahl von Lagen, unterstützt von einem Siliciumnitrid-Film auf einem hexagonalen 3mm großen Silicium Substrat mit 0.5x0.5mm großen Apertur. Die TEM Grids sind mit Graphenoxidfilm von 1 oder 2 Lagen erhältlich. Ideal geeignet für Nanopartikelanalysen.

Beschreibung

Dünne Monolagen von Graphenoxid werden durch Oxidation von Graphen mittels eines geschützten Prozesses erzeugt.

Eigenschaften

  • Graphenoxid ist in 2 Stärken verfügbar: 1 oder 2 Lagen
  • Substrat ist ein 200nm dünner Siliciumnitrid-Film mit ca. 6400 2.5µm großen Löchern auf einem 200µm dicken hexagonalen 3.0mm Silicium Substrat mit einer 0.5x0.5mm großen Apertur
  • Graphenoxidabdeckung ca. 70%
  • Graphenoxidfilm ist hydrophil und somit besser für Life Science Anwendungen geeignet als Graphenfilme

 

Specifications

Typ Graphenoxid Dicke* Substrat Trägerfilm
1 Lage 0.8 – 1.2nm Silicium, AP 0.5x0.5mm Siliciumnitrid 2.5µm Löcher
2 Lagen 1 – 1.5nm Silicium, AP 0.5x0.5mm Siliciumnitrid 2.5µm Löcher

*gemessen mit EELS

Weitere Informationen

Beschichtung
Graphene Oxide
Filmdicke 0,8 - 1,5nm
Material
Silizium Nitrid
Materialkürzel Si
Mesh Typ
Einzelloch
Hersteller
EMS