Graphenoxid auf ultraflachem thermischen Siliciumoxid Substrat, verschiedene Lagen
Graphenoxidfilm mit unterschiedlicher Anzahl von Lagen auf einer thermisch gewachsenen Siliciumoxid-Schicht eines Siliciumwafer. Das Substrat ist mit Graphenoxidfilm von 1 und 2 Lagen erhältlich. Ideal geeignet für AFM Anwendungen und als ultraflache experimentelle Plattform.
Beschreibung
Dünne Monolagen von Graphenoxid werden durch Oxidation von Graphen mittels eines geschützten Prozesses erzeugt.
Eigenschaften
- Graphenoxid ist in 2 Stärken verfügbar: 1 oder 2 Lagen
- Substrat ist eine 200nm dünne thermisch gewachsene Siliciumoxid Schicht auf einem ultra-flachen 5x5mm großen Siliciumwafer-Stück mit einer Dicke von 675µm
- Graphenoxidabdeckung ca. 70%
- Graphenoxidfilm ist hydrophil und somit besser für Life Science Anwendungen geeignet als Graphenfilme
Spezifikationen
| Typ | Graphenoxid Dicke* | Substrat | Trägerfilm |
| 1 Lage | 0.8 – 1.2nm | N/A |
ultraflaches Silicium |
| 2 Lagen | 1 – 1.5nm | N/A |
ultraflaches Silicium |
* gemessen mit EELS
Weitere Informationen
| Beschichtung |
Graphene Oxide
|
|---|---|
| Filmdicke | 0,8 - 1,5nm |
| Material |
SiO2 Substrat
|
| Hersteller |
EMS
|