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Graphenoxid auf ultraflachem thermischen Siliciumoxid Substrat, verschiedene Lagen

Graphenoxidfilm mit unterschiedlicher Anzahl von Lagen auf einer thermisch gewachsenen Siliciumoxid-Schicht eines Siliciumwafer. Das Substrat ist mit Graphenoxidfilm von 1 und 2 Lagen erhältlich. Ideal geeignet für AFM Anwendungen und als ultraflache experimentelle Plattform.
Artikel für gruppiertes Produkt
Artikelname Menge
Graphenoxid auf ultraflachem thermischen Siliciumoxid Substrat, 1 Lager, 5 Stück

E1GOUFSiO2-5

348,90 € 415,19 €
Graphenoxid auf ultraflachem thermischen Siliciumoxid Substrat, 2 Lagen, 10 Stück

E2GOUFSiO2-10

630,50 € 750,30 €
Graphenoxid auf ultraflachem thermischen Siliciumoxid Substrat, 1 Lagen, 10 Stück

E1GOUFSiO2-10

653,30 € 777,43 €
Graphenoxid auf ultraflachem thermischen Siliciumoxid Substrat, 2 Lagen, 25 Stück

E2GOUFSiO2-25

1.372,20 € 1.632,92 €
Graphenoxid auf ultraflachem thermischen Siliciumoxid Substrat, 1 Lagen, 25 Stück

E1GOUFSiO2-25

1.428,00 € 1.699,32 €
Graphenoxid auf ultraflachem thermischen Siliciumoxid Substrat, 2 Lagen, 5 Stück

E2GOUFSiO2-5

333,10 € 396,39 €

Produktdetails

Beschreibung

Dünne Monolagen von Graphenoxid werden durch Oxidation von Graphen mittels eines geschützten Prozesses erzeugt.

Eigenschaften

  • Graphenoxid ist in 2 Stärken verfügbar: 1 oder 2 Lagen
  • Substrat ist eine 200nm dünne thermisch gewachsene Siliciumoxid Schicht auf einem ultra-flachen 5x5mm großen Siliciumwafer-Stück mit einer Dicke von 675µm
  • Graphenoxidabdeckung ca. 70%
  • Graphenoxidfilm ist hydrophil und somit besser für Life Science Anwendungen geeignet als Graphenfilme

 

Spezifikationen

Typ Graphenoxid Dicke* Substrat Trägerfilm
1 Lage 0.8 – 1.2nm N/A

ultraflaches Silicium

2 Lagen 1 – 1.5nm N/A

ultraflaches Silicium

gemessen mit EELS

Weitere Informationen

Weitere Informationen
Beschichtung
Graphene Oxide
Filmdicke 0,8 - 1,5nm
Material
SiO2 Substrat
Hersteller
EMS