4“-Siliziumwafer, p-dotiert, einseitig poliert
Die Siliziumwafer haben einen Durchmesser von 100mm und besitzen folgende Richtwerte:
Dotierung: Bor (Typ P); Orientierung: (100); Dicke: ca. 525µm, Widerstand: <20 Ohmcm. Je nach Charge kann Dicke oder Widerstand leicht variieren. Die Wafer sind einseitig poliert. Transportschale/box inklusive (nicht Reinraum geeignet).
Beschreibung
Wafer anderer Größen und Eigenschaften sind auf Anfrage erhältlich! Bitte kontaktieren hierzu unseren technicschen Support.
tech@scienceservicces.de / 089/18 93 668 13
Weitere Informationen
| Material |
Silizium
|
|---|---|
| Typ |
P- Typ
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| Abmessung | Ø100mm |
| Dicke | 525µm |
| Orientierung | 100 |
| Elektr. Wiederstand | <20 Ohmcm |
| Oberflächen | poliert/geätzt |
| Lieferumfang | Transportschale/box inklusive |