Meiwafosis stellt auf der IMC21 aus!

Überwindet die Grenzen konventioneller REM-Bildgebung: Das in Japan entwickelte Tennant20 Osmium Coating System ermöglicht eine neue Dimension hochauflösender Elektronenmikroskopie.

Durch die Eliminierung der für Goldbeschichtungen typischen Körnungsartefakte entstehen artefakt- und aufladungsfreie REM-Aufnahmen. So wird die tatsächliche, unveränderte Morphologie selbst komplexer Nanostrukturen mit höchster Präzision sichtbar.

Beschl. Spannung 1,0kV Vergrößerung 30,000× Os Schichtdicke 5nm

Daten: SHIRAISHI CENTRAL LABORATORIES CO., LTD.

Die Osmium-Beschichtung nutzt die plasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung (Plasma-CVD), ein etabliertes Verfahren, um metallische Osmiumschichten mit einer Schichtdickenkontrolle im Nanometerbereich aufzubringen. Das Verfahren erzeugt hochhomogene, elektrisch leitfähige Beschichtungen bei niedrigen Prozesstemperaturen und gewährleistet gleichzeitig eine enorm hohe Reproduzierbarkeit der Schichtdicke.

Durch die Minimierung von Aufladungseffekten während der REM-Bildaufnahme und der Elementanalyse ermöglicht die Osmium-Beschichtung eine hochauflösende Darstellung feinster Oberflächenstrukturen mit hervorragender Bildqualität.

Die Abscheidung von metallischem Osmium erfolgt ausschließlich innerhalb des Negativen Glimmphasenbereichs des Plasmas. Bei konventionellen Parallelplatten-Elektrodensystemen erstreckt sich dieser Bereich nur bis etwa 5 mm über die Mitte des Probentisches, wodurch eine gleichmäßige Beschichtung von Proben mit komplexer Geometrie erheblich eingeschränkt wird.

Der Tennant20 verfügt über eine speziell entwickelte Elektrodenarchitektur, die den Negativen Glimmphasenbereich auf eine Höhe von 20 mm erweitert. Dieser deutlich vergrößerte Abscheidungsbereich ermöglicht eine stabile und homogene Osmiumbeschichtung – selbst bei Proben mit großen Höhenunterschieden.

Bei herkömmlichen Sputter-Methoden, insbesondere beim Beschichten von komplexen, stark strukturierten Oberflächen kommt es häufig zu einer unvollständigen Beschichtung und dadurch zu einer Reduzierung der Proben-Leitfähigkeit. Dies führt während REM-Aufnahmen häufig zu lokalen Aufladungseffekten.

Im Gegensatz dazu, wird bei Osmium-Beschichtungen durch Gasphasenabscheidung eine homogene und kontinuierliche leitfähige Schicht erzeugt, die Aufladungsartefakte auf ein Minimum reduzieren und gerade bei komplexen Oberflächen-Geometrien eine stabile und hochauflösende Bildgebung ermöglicht.

Unser Osmium-Beschichtungssystem gewährleistet eine hervorragende homogene Beschichtung – auch in sich überlappenden oder schwer zugänglichen Probenbereichen. Es verringert Aufladungseffekte zuverlässig und ermöglicht kontrastreiche Aufnahmen der gesamten Probe.

Dagegen weisen Gold-Sputterbeschichtungen in diesen Bereichen häufig eine unzureichende Schichtabdeckung auf. Die resultierenden Aufladungsartefakte führen häufig zu einer Reduktion der maximal erreichbaren Vergrößerung auf etwa 2.000x. Mit Osmium-Beschichtung sind dagegen stabile Aufnahmen bei Vergrößerungen von 5.000x und darüber hinaus erreichbar und somit die Visualisierung feinster Oberflächenstrukturen.

Data provided by Toyohashi University of Technology, Electronic Materials Course, Hiroyuki Muto